产品介绍
主要用途 光刻机是光刻工艺过程的重要设备,本机型主要用于中小规模集成电路标准芯片的批量生产。 由于本机采用“蝇眼”式多点光源紫外曝光、三点式自动找平、微“漂移”式接触分离、电动步进式切斯曼对准、自动装卸片及自动预对准等先进机构和技术,使得本机具有:精度高、可靠性高、操作维修方便 、生产效率高等特点。 |
技术参数:
1.工作方式:盒到盒自动传片,一次曝光全自动,套刻曝光半自动,单面曝光;
2.曝光面积:≥φ165mm;
3.曝光不均匀性:≤±3%;
4.曝光强度:≥10mw/cm2;
5.曝光分辨率:1μm;
6.曝光模式:可选择一次曝光或套刻曝光模式;
7.显微镜扫描范围:X:±40mm Y:±35mm
8.对准范围:X、Y粗调±3mm,细调±0.3mm ;Q粗调±15°,细调±3°;
9.对准精度:1μm;
10.分离量;0~50μm可调;
11.接触-分离漂移:≤1μm;
12.曝光方式:密着曝光,可实现硬接触、软接触和微力接触曝光;
13.找平机构:三点式自动找平;
14.显微系统:双视场CCD系统,显微镜60X~400X连续变倍(物镜1.5X~10X),
双物镜距离可调范围:45mm~150 mm,计算机图像处理系统,19″液晶监视器;
15.掩模版尺寸:5″×5″、6″×6″、7″×7″;
16.基片尺寸:φ4″、φ5″、φ6″;
17.基片厚度:≤5 mm;
18.曝光灯功率:直流350W;
19.曝光定时:0~999.9秒可调;
20.对准方式:电动步进式切斯曼对准机构,节距0.5um;
21.曝光头转位:气动;
22. 生产节拍:14秒+曝光时间+对准时间;
23.电源:单相AC220V 50HZ ,功耗≤1KW;
24.洁净空气压力:≥0.4MPa;
25.真空度:-0.07MPa~-0.09MPa;
26.尺寸: 1300mm(长)×785mm(宽)×1650mm(高);
27.重量:约240Kg。
更多产品